MRam : la mémoire vive parfaite ?
Non volatile, comme la mémoire Flash, mais aussi rapide et peu chère que la mémoire vive de nos PC. C’est ce que promet la MRam, développée conjointement par IBM et Infineon. Pas avant 2004 malheureusement.
Imaginez ce que pourrait donner le mélange d’une barrette de SDRam (la mémoire vive de nos PC) et d’un module de mémoire Flash (tels que ceux qui équipent les appareils photo numériques ou les lecteurs MP3). On obtiendrait alors un nouveau type de mémoire regroupant le meilleur des deux mondes : elle serait rapide, non volatile et relativement peu chère. Un rêve… qui pourrait devenir réalité dans quelques années, promettent ensemble IBM et Infineon (fabricant allemand de mémoires vives). Tout deux viennent de présenter officiellement la MRam, acronyme pour Magnetic random access memory. Contrairement à la Ram traditionnelle, l’information n’y est plus stockée sous forme d’impulsions électriques mais sous forme de charges magnétiques. Résultat, il n’est plus nécessaire de conserver la MRam sous tension pour qu’elle « retienne » les informations qu’elle stocke. De plus, selon les chercheurs, la MRam reste aussi rapide que la SDRam, un atout face à la mémoire Flash, offrant généralement des temps d’accès plus longs.
Les avantages d’une telle technologie sautent aux yeux. Les PC de poche pourraient voir leur prix grandement baisser et surtout gagner en autonomie puisque les piles ou batteries ne seraient plus sollicitées pour conserver les données. De même pour les ordinateurs portables qui pourraient rester en mode veille indéfiniment. Sans parler d’un temps de redémarrage très raccourci puisqu’il ne serait plus nécessaire de recopier le contenu de la mémoire vive sur le disque dur, étape nécessaire aujourd’hui si l’on veut justement ne pas puiser dans les batteries.
Pas avant 2004 pour des questions de coût de fabrication
Ne reste plus aux ingénieurs qu’à trouver les techniques industrielles pour fabriquer cette mémoire à un prix de revient raisonnable. Ce qui devrait prendre, tout de même, trois ou quatre ans au bas mot. Un délai qui ne devrait pas effrayer les ingénieurs d’IBM puisque cette mémoire est directement issue de recherches datant de 1974 ! Le projet cherchait à développer un composant miniature baptisé « magnetic tunnel junction » qui s’est finalement transformé en moyen de stocker de l’information.
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